特色服务丨集材院前驱体材料四大核心技术服务-新闻动态-上海集成电路材料研究院-上海集成电路材料研究院（简称“集材院”）成立于2020年6月，是聚焦集成电路衬底材料、工艺材料和原材料、零部件材料以及产业关键技术研发与产业化的新型研发平台，为集成电路材料发展提供坚实的创新策源。

上海集成电路材料研究院聚焦前驱体材料等研发需求，打造材料研发、检测分析、应用验证、材料计算一体化技术服务，大幅提升研发效率与成果转化速度。

服务内容

前驱体材料四大核心技术服务

材料研发服务能力

集材院面向前驱体材料的研发需求，已具备高纯固态、液态前驱体合成纯化能力，提供定制化前驱体合成、纯化研发技术服务。

前驱体材料合成与纯化技术服务能力

手套箱工作站

溶剂纯化系统

升华装置

检测分析服务能力

TDS -thermal desorption spectroscopy
红外直接加热样品:本底最小化,提升灵敏度超高真空环境:低于10-7Pa 宽温度范围:50°C-1200°C
服务能力：水,氢,氧,二氧化碳等脱附气体的极微量检测测量半导体衬底以及各种薄膜样品的理想选择主要包括以下应用：晶圆表面（Si 衬底、玻璃衬底、SiC 衬底等）的有机和无机污染评估薄膜（氧化膜、氮化物膜、金属膜、光刻胶膜等）中的水分评估残留沉积气体的调查（由沉积材料和沉积环境引起的）清洁和刻蚀工艺残留物的检测分析膜剥落和肿胀等异常原因的检测分析有机薄膜的退火温度评估各种材料（包装和粘合剂）的脱气研究 H₂ 的解析等

应用验证服务能力

ALD成膜设备
ALD成膜设备可以支持沉积膜层：氧化铝、氮化钨、二氧化硅等材料；可以支持热型生长模式
设备能力：支持8英寸兼容以下晶圆作业极限真空：<1 Pa 热型腔室:最大加热温度不低于350°C 配备至少4路液/固前驱体方案，支持源瓶选择及定制方案，原管路方便更换设计配备不少于3路反应气体，包含H₂O/O₃/NH₃，为独立管路

光谱椭偏仪，用于测量镀膜膜厚

集材院自主研发8英寸全晶圆高通量ALD-PVD-XPS设备，实现薄膜材料高通量制备及原位表征。

细分领域	检测项目	测试设备
PVD	高温生长(最高800°C) DC+RF sputter 支持反应溅射(0₂、N₂)	PVD靶材验证能力 →金属:Al、Ti、Ta、Cu、Pt、Co、Ru等 →非金属:B、Si等 →复合:金属合金、硅化物、氧化物等
ALD	衬底温度最高450°C 4个源位单个区域内有效面积直径达40mm	ALD前驱体验证能力 →氮化物:(具体评估) →氧化物:HK材料Hf0₂、Zr0₂ 功函数调制层Al₂0₃，La₂0₃等 →金属栅极:TiALC等
XPS	AI kalpha射线范围:0-1468eV 能量分辨率:<0.6eV 光斑:50-400μm 样品尺寸:≤200mm 样品台机械位移分辨率:5μm	可分析:组分、价态、价带谱、逸出功、膜层刻蚀、膜层深度剖析

固态前驱体源瓶

液态前驱体源瓶

材料计算服务能力

面向设备厂商，通过机台结构设计、配套耗材筛选和工艺仿真，提供耗材优化设计、工艺筛选服务。