2026年1月22日，ALD 前驱体材料技术沙龙在上海成功举办。本次会议由上海市电子材料协会、上海集成电路材料研究院（简称“集材院”）联合主办，SEMI 中国 ALD 委员会支持，会议深度探讨ALD前驱体材料技术。
会议伊始，上海市电子材料协会会长马静、上海集成电路材料研究院总经理姚薇、SEMI 中国区总裁冯莉分别为本次沙龙致辞。
上海市电子材料协会会长马静表示，ALD前驱体是集成电路产业关键材料，更是实现技术自主可控的重要突破口。上海市电子材料协会已汇聚80余家“产、学、研、用、资”全链条会员单位，为行业搭建桥梁，打破信息壁垒、促进协同创新。本次会议聚焦ALD前驱体材料主题，契合上海构建完整电子产业生态、攻坚关键材料自主可控的迫切需求，协会将凝聚行业力量，合力突破技术瓶颈。
上海集成电路材料研究院总经理姚薇表示，前驱体材料的技术创新对集成电路新工艺、新结构发展至关重要。集材院已围绕前驱体材料构建了系统性的研发与服务能力，包括：自主研发的8英寸全晶圆高通量ALD-PVD-XPS集簇设备，实现薄膜材料的高通量制备与表征；检测平台可提供成分、杂质、膜层结构与形貌等全面分析服务；依托材料数据库、模型库及AI智能体，为前驱体分子设计、性能预测与工艺优化提供高效支撑。同时集材院秉持开放共享理念，全面开放研发与测试资源，致力成为产业链协同创新的“纽带”，支持企业技术验证与产品迭代，携手业界共同推动前驱体材料发展。
SEMI中国区总裁冯莉致辞表示，2025年全球半导体材料市场规模达765亿美元，连续三年保持增长。其中，中国大陆市场规模接近140亿美元，稳居全球第二，成为全球增长最快的材料市场之一。随着先进工艺发展，高附加值材料如特种气体、前驱体等快速增长，反映材料在芯片制造中的价值持续提升。当前，全球超70%晶圆厂已将关键材料供应商纳入重要评估体系，供应链安全与本土化机遇并存。
报告环节，SEMI、金宏气体、江南大学、集材院分别从市场、材料、设备、平台维度分享了前驱体材料技术的宝贵经验与见解。
SEMI 中国 ALD 委员会秘书长王兆龙在报告中指出，全球半导体产业已进入 “AI 驱动” 的高增长新纪元，预计 2026 年市场规模将逼近 1 万亿美元，中国作为全球最大制造基地的地位持续巩固。中国晶圆厂产能增速显著高于全球，2024-2028 年年复合增长率达 8.1%，其中主流节点（22nm-40nm）增速最快，到 2028 年中国在全球主流节点产能中的份额将升至 42%。前驱体作为集成电路制造的核心关键材料，目前国内市场规模已达 20 亿元。
金宏气体股份有限公司研发总监汤剑波在报告中表示，ALD 技术凭借高精度薄膜沉积优势，已广泛应用于半导体、光学、能源等多个领域。在半导体领域，硅基前驱体是 3D NAND 堆叠、Logic 器件制造、Power 器件研发等核心环节的关键支撑，随着芯片节点迈向 3nm 及以下，对其纯度、反应活性等要求持续提升。二氯硅烷（DCS）、六氯乙硅烷（HCDS）等多款硅基前驱体，凭借高纯度、低温沉积等特性满足先进制程需求。当前，前驱体材料自主化成为集成电路产业发展关键，行业正通过技术创新、产学研协同破解瓶颈，助力半导体产业高质量发展。
江南大学教授丁玉强在报告中指出，半导体产业正以前沿需求为牵引，推动材料与装备协同创新。在 MOSFET 等关键器件制备过程中，介质层与金属层前驱体的选型，直接关系到器件性能优劣与工艺效率高低。当前，前驱体材料仍存在技术空缺，需通过装备协同与材料创新双轮驱动，亟待产学研各方协调公关、突破瓶颈推动ALD技术适配产业快速迭代需求。
上海集成电路材料研究院副总经理刘兵在报告中指出，当前新型研发机构正成为材料创新的核心载体，通过整合资源、搭建平台，集材院正在加速推动前驱体材料从实验室走向产业化。依托两大研发基地，团队已在材料纯度提升、性能优化等方面取得进展，同时集材院针对前驱体材料提供一系列技术服务，支撑市场产品快速迭代。
圆桌论坛环节由SEMI中国ALD委员会理事陈金龙主持，南大光电材料有限公司总经理曹益宁、金宏气体股份有限公司研发总监汤剑波、PerkinElmer中国区半导体行业项目负责人黄清发共同参与探讨。
本次沙龙的成功举办，为行业搭建了高效交流平台，促进了各方观点与技术成果的深度碰撞。展望未来，我们将持续凝聚合力、携手攻克前驱体关键核心技术瓶颈，共同为集成电路材料产业的高质量发展注入新动能。
